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J-GLOBAL ID：201103007347191734

量子ドット半導体光増幅器

Inventor：
天野 建

About 天野 建


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010116932
Publication number (International publication number)：2011243891
Application date： May. 21, 2010
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：
【課題】高速光通信で所望される、1.3μm帯用で狭い帯域を増幅することができる光増幅器を実現する。【解決手段】N-GaAs基板1上に、N-AlGaAsクラッド層2、量子ドット活性層3、P-AlGaAsクラッド層4、P-GaAsコンタクト層5の順で構成される量子ドット構造を設け、前記活性層3を均一な量子ドットで構成することにより、波長1.3μm帯用の半値幅30nm以下の狭帯域用半導体光増幅器を提供する。注入電流により、利得波長以外の波長を減衰させることができ、また偏向状態をスイッチングすることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
活性層が均一な量子ドットである半導体構造を備え、波長1.3μm帯の光増幅特性を有することを特徴とする狭帯域用半導体光増幅器。
IPC (2)：
H01S 5/50 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S5/50 610 ,  H01S5/50 630 ,  H01S5/343
F-Term (6)：
5F173AF08 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AR02 ,  5F173AR42 ,  5F173AS01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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