光デバイスの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008218206
Publication number (International publication number)：2010054695
Application date： Aug. 27, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。【解決手段】量子ドット集合体を有する第1の基板を用意する工程と、第1の基板とウエハ接合を行うための第2の基板を用意する工程と、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、第1の基板の量子ドット集合体が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、接合した基板を加熱する工程と、第1の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

量子ドット集合体を有する第1の基板を用意する工程と、第1の基板とウエハ接合を行うための第2の基板を用意する工程と、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、第1の基板の量子ドット集合体が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、接合した基板を加熱する工程と、第1の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/122 , G02B 6/13

FI (2)：

G02B6/12 A , G02B6/12 M

F-Term (17)：

2H147AB03 , 2H147BA15 , 2H147EA12A , 2H147EA12B , 2H147EA13C , 2H147EA16D , 2H147FA07 , 2H147FA25 , 2H147FC08 , 2H147FD14 , 2H147FF05 , 2H147FF06 , 2H147GA12 , 2H147GA15 , 2H147GA17 , 2H147GA24 , 2H147GA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-202509 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-220692 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
光半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-263074 Applicant：富士通株式会社

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