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J-GLOBAL ID：201103015407909225

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
星野 孝志

About 星野 孝志

, 
藤川 一洋

About 藤川 一洋


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011125457
Publication number (International publication number)：2011199306
Application date： Jun. 03, 2011
Publication date： Oct. 06, 2011
Summary：
【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置としてのショットキーダイオード10は、半導体からなる基板11と、基板11上に形成されたn型層12とを備えている。n型層12は基板11側の表面である第1の面12Aとは反対側の表面である第2の面12Bから第1の面12Aに向けて延びるように形成された溝13を有している。溝13の底部である底壁13Aに接触する位置には絶縁体としての酸化物層14が配置されており、かつ溝13の側壁13Bに接触するようにn型層12とショットキー接触可能な金属膜15が溝13を埋めるように形成されている。さらに、n型層12の第2の面12Bに接触するようにアノード電極16が配置されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体からなる基板と、 前記基板上に形成され、かつ前記基板側の表面である第1の面とは反対側の表面である第2の面から前記第1の面に向けて延びるように形成された溝を有するn型層と、 前記溝の底部に配置された絶縁体と、 前記溝の側壁に接触するように形成された、前記n型層とショットキー接触可能な金属膜とを備えた、半導体装置。
IPC (8)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/80
FI (10)：
H01L29/48 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/80 C ,  H01L29/80 V
F-Term (44)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104EE02 ,  4M104EE10 ,  4M104EE14 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104FF37 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC02 ,  5F102GD04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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