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J-GLOBAL ID：200903097514311926

シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチ

Inventor：
シン,ランビアー

About シン,ランビアー

, 
パルモアー,ジョン・ダブリュー

About パルモアー,ジョン・ダブリュー


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998546972
Publication number (International publication number)：2001522533
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Nov. 13, 2001
Summary：
【要約】上面及び下面を有する第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板を有するフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。基板の上面上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第1エピタキシャル層が形成されている。シリコン・カーバイドの第1エピタキシャル層上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第2エピタキシャル層が形成されている。第2エピタキシャル層内に、第3導電型シリコン・カーバイドの複数の領域が形成され、第2エピタキシャル層内にゲート・グリッドを形成する。第2エピタキシャル層上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第3エピタキシャル層が形成され、更に第3エピタキシャル層上に第2導電型シリコン・カーバイドの第4エピタキシャル層が形成されている。第4エピタキシャル層は、第1、第2及び第3エピタキシャル層におけるよりも、キャリア濃度が高い。第4エピタキシャル層上に第1オーミック・コンタクトが形成され、基板の下面上に第2オーミック・コンタクトが形成されている。オーミック・ゲート・コンタクトがゲート・グリッドに接続され、このオーミック・ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときに、第1オーミック・コンタクトと第2オーミック・コンタクトとの間の電流がピンチオフされる。
Claim (excerpt)：
高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチであって、 上面及び仮面を有する、第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板と、 前記基板の前記上面上にある、第2導電型シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層と、 前記シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層上に形成された、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第2エピタキシャル層と、 前記第2エピタキシャル層内に形成され、前記第2エピタキシャル層内にゲート・グリッドを形成する、第3導電型シリコン・カーバイドからなる複数の領域と、 前記第2エピタキシャル層上に形成された、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第3エピタキシャル層と、 前記第3エピタキシャル層上にあり、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第4エピタキシャル層であって、前記第1エピタキシャル層、前記第2エピタキシャル層及び前記第3エピタキシャル層内におけるよりもキャリア濃度が高い第4エピタキシャル層と、 前記第4エピタキシャル層上にある第1オーミック・コンタクトと、 前記基板の前記下面上に形成された第2オーミック・コンタクトと、 前記ゲート・グリッドに接続されたオーミック・ゲート・コンタクトであって、バイアスが印加されたときに、前記第1オーミック・コンタクトと前記第2オーミック・コンタクトとの間の電流をピンチオフするオーミック・ゲート・コンタクトとを備えることを特徴とする高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチ。
IPC (3)：
H01L 29/74 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (2)：
H01L 29/74 D ,  H01L 29/80 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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