電子構成素子を作製する方法および電子構成素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：矢野敏雄 , 久野琢也 , 杉本博司 , 高橋佳大 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010544580
Publication number (International publication number)：2011511403
Application date： Jan. 29, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する本発明の方法には殊に以下のステップが含まれる。すなわち、- 少なくとも1つの機能層(22)を有する基板(1)を準備するステップと、- プラズマレス原子堆積法(PLALD)を用いて上記の機能層(22)に少なくとも1つの第1バリア層(3)を被着するステップと、- プラズマ支援化学気相成長(PECVD)を用いて前記の機能層(22)に少なくとも1つの第2バリア層(4)を被着するステップとを有する。

Claim (excerpt)：

構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法において、該方法は、 - 少なくとも1つの機能層(22)を有する基板(1)を準備するステップと、 - プラズマレス原子堆積法(PLALD)を用いて前記の機能層(22)に少なくとも1つの第1バリア層(3)を被着するステップと、 - プラズマ支援化学気相成長(PECVD)を用いて前記の機能層(22)に少なくとも1つの第2バリア層(4)を被着するステップとを有することを特徴とする、構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 , H05B 33/04 , H01L 51/50

FI (3)：

H05B33/10 , H05B33/04 , H05B33/14 A

F-Term (14)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107CC21 , 3K107CC23 , 3K107CC45 , 3K107EE48 , 3K107EE49 , 3K107EE50 , 3K107FF15 , 3K107FF17 , 3K107GG02 , 3K107GG03 , 3K107GG06 , 3K107GG28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

有機EL素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-075863 Applicant：松下電器産業株式会社
有機EL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-101304 Applicant：株式会社デンソー
有機EL素子の封止膜、有機EL表示パネルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-349658 Applicant：株式会社セルバック

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Ultrathin Film Encapsulation of an OLED by ALD

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