ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：牧野琢磨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009233602
Publication number (International publication number)：2011082353
Application date： Oct. 07, 2009
Publication date： Apr. 21, 2011
Summary：

【課題】光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。【解決手段】ワイドギャップ半導体であるn-GaN膜13の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程により、バンドギャップが広くて仕事関数が大きいという特徴を有する導電性の有機金属膜15をワイドギャップ半導体のショットキー電極として形成し、単色光照射部23により、単色光として、例えば、十分に波長分解能の高い単色光を有機金属膜15側から分光照射し、電圧パルス発生部21により、有機金属膜15が形成されたワイドギャップ半導体n-GaN膜13に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測部22により、有機金属膜15が形成されたワイドギャップ半導体n-GaN膜13のインピーダンスを検出する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性計測方法であって、ワイドギャップ半導体の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程を備え、単色光照射手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体に対し前記有機金属膜側から所定の波長の単色光を所定のタイミングと強度で照射し、電圧パルス発生手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体のインピーダンスを検出し、前記パルス電圧印加後の所定波長の単色光照射環境下での前記インピーダンスに基づいて、照射した前記単色光の波長と、キャパシタンス又はコンダクタンスの変化率との対応関係により前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性を評価することを特徴とするワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性計測方法。

IPC (1)：

H01L 21/66

FI (3)：

H01L21/66 L , H01L21/66 X , H01L21/66 Y

F-Term (9)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AA11 , 4M106AB11 , 4M106BA05 , 4M106BA14 , 4M106CA70 , 4M106CB30 , 4M106DH32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭48-088873
特開昭59-143339
半導体のトラップ評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264334 Applicant：株式会社デンソー

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