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J-GLOBAL ID：201103025556879814
モリブデン含有裏面電極層を有する薄膜太陽電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010538263
Publication number (International publication number)：2011507281
Application date： Dec. 16, 2008
Publication date： Mar. 03, 2011
Summary：
本発明に係る薄膜太陽電池は少なくとも50原子%のMoを有する1つの裏面電極層を含み、前記裏面電極層は通常の不純物の他に0.1〜45原子%のTi、Zr、Hf、V、Nb、TaおよびWの群の少なくとも1種の元素と0〜7.5原子%のNaと0〜7.5原子%の、Naとで融点500°C超の化合物を形成する少なくとも1種の元素とから成る。前記裏面電極層は良好な長期耐久性とCIGS吸収層への良好な結合とを有する。さらに、吸収層内へのアルカリ金属添加の安定性が改善される。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つの基板と1つの裏面電極層と1つのカルコパイライト吸収層と1つの表面接触層とを備え、前記裏面電極層が1つ以上の膜層で構成されている薄膜太陽電池において、前記裏面電極層の少なくとも1つの膜層が、
0.1〜45原子%のTi、Zr、Hf、V、Nb、TaおよびWの群の少なくとも1種の元素と、
0〜7.5原子%のNaと、
0〜7.5原子%の、Naとで融点500°C超の化合物を形成する1種以上の元素と、
残り少なくとも50原子%のMoおよび不純物とから成る薄膜太陽電池。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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