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J-GLOBAL ID：201103029147990326

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 出口 忠義 ,  吉田 孝 ,  田口 博久 ,  木村 親夫
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003401121
Publication number (International publication number)：2004363547
Patent number：4351033
Application date： Dec. 01, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子で発生する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を備えた半導体装置において、 前記放熱構造は、前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された前記熱を放射する金黒、ビスマス黒、煙着タングステンのいずれかを含む金属層、あるいは前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された該半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部上に形成された前記金属層のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 23/34 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 23/34 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-036351   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-264799   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-057366   Applicant：株式会社東芝