薄膜作製装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003178012
Publication number (International publication number)：2005015817
Patent number：4696232
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体の薄膜材料を、結晶またはアモルファス基板上に、アモルファス成長して、デバイスを形成する薄膜作製装置において、薄膜堆積装置と、該薄膜堆積装置とは互いにゲートバルブを介して接続され、かつ基板を保持するための基板ホルダを大気中より超高真空中に導入するためのロードロックと、上記基板ホルダを上記薄膜堆積装置とロードロックの間で搬送する搬送マニピュレータとを備え、上記薄膜堆積装置は、上記基板ホルダと、上記薄膜材料を半導体分子ビームとして蒸発させる蒸着装置と、導入気体を解離し、堆積時に未結合手にとって終端基となりうる原子を原子ビームとして基板上に照射する気体解離照射装置と、上記基板ホルダを保持し、かつ、この基板ホルダの位置を調節し、かつ基板ホルダに電圧を印加できる構造を有するホルダ位置調節装置と、基板ホルダを加熱するための基板ヒータと、上記基板ヒータの位置を調節するための基板ヒータ位置調節装置とを備え、上記蒸着装置は、上記半導体分子ビームを電界加速し運動エネルギーを増大させ、かつ、収束させるための網状電極を備え、上記蒸着装置より蒸発し、かつ、運動エネルギーを増大させ、収束させた上記半導体分子ビームと、上記気体解離照射装置より射出した原子ビームを、上記基板上に、同時に照射することによってアモルファス半導体薄膜を作製することを特徴とする、薄膜作製装置。

IPC (3)：

C23C 14/48 ( 200 6.01) , C23C 14/22 ( 200 6.01) , H01L 21/203 ( 200 6.01)

FI (3)：

C23C 14/48 D , C23C 14/22 A , H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭61-099670
半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-068962 Applicant：松下電器産業株式会社
加熱装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-070024 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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