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J-GLOBAL ID：201103033961037777

β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置

Inventor： 鵜殿 治彦 ,  菊間 勲
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000182138
Publication number (International publication number)：2002003300
Patent number：3912959
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】溶融したGaまたはZnを溶媒とし、FeSi2 を原料として溶媒表面に接触させるとともに結晶析出部材を溶媒表面に接触させて、原料部より結晶析出部が低温となるように加熱することにより溶媒中に溶解したFeSi2 を結晶析出部に析出させてβ-FeSi2 を結晶成長させることを特徴とする半導体β-FeSi2 結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/52 ( 200 6.01) ,  C30B 9/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (3)：

C30B 29/52 ,  C30B 9/10 ,  H01L 21/368 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 鉄シリサイド結晶の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-043955   Applicant：科学技術振興事業団
• 金属間化合物融液を用いた高融点シリサイド結晶成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-248700   Applicant：静岡大学長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長