Pat
J-GLOBAL ID：201103035124346004
接合方法および水晶素子
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010054208
Publication number (International publication number)：2011187867
Application date： Mar. 11, 2010
Publication date： Sep. 22, 2011
Summary：
【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。【解決手段】スパッタ法により、水晶基板101の接合面に対する物質層102の形成、および水晶基板111の接合面に対する物質層102の形成を開始した後、0.2nm以上1nm未満の層厚の物質層102が各々形成された水晶基板101の接合面および水晶基板111の接合面とを、物質層102を介して着接する。物質層102の層厚が、1nmになる前に、2つの基板の着接を行う。【選択図】図1C
Claim (excerpt)：
真空成膜法による成膜装置の処理室内で、第1基板の接合面および水晶からなる第2基板の接合面に、前記真空成膜法による物質層の形成を開始する第1工程と、
前記処理室内で、0.2nm以上1nm未満の層厚の前記物質層が各々形成された前記第1基板の接合面および前記第2基板の接合面を、前記物質層を介して着接して前記第1基板と前記第2基板とを各々の接合面で接合する第2工程と
を少なくとも備え、
前記第1基板の接合面および前記第2基板の接合面は、平均表面粗さが1nm未満とされていることを特徴とする接合方法。
IPC (4)：
H01L 41/22
, C23C 14/14
, H01L 41/18
, H01L 41/09
H01L41/22 Z
, C23C14/14 D
, H01L41/18 101A
, H01L41/08 C
, H01L41/08 L
4K029AA08
, 4K029BA02
, 4K029BA03
, 4K029BA07
, 4K029BA08
, 4K029BA16
, 4K029BA17
, 4K029BC00
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 5J108BB02
, 5J108CC04
, 5J108EE03
, 5J108EE07
, 5J108EE18
, 5J108GG03
, 5J108GG07
, 5J108GG14
, 5J108KK04
, 5J108MM02
