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J-GLOBAL ID：200903077335288791

常温接合方法

Inventor：
島津 武仁

About 島津 武仁

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宮本 和夫

About 宮本 和夫


Applicant, Patent owner：
島津 武仁

About 島津 武仁

, 
株式会社ムサシノエンジニアリング

About 株式会社ムサシノエンジニアリング


Agent (1)： 小倉 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007047360
Publication number (International publication number)：2008207221
Application date： Feb. 27, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：
【課題】加熱,加圧,電圧の印加等を行うことなく,常温で,かつ,極めて低い圧力で重合することで,被接合材間の強固な接合を可能とする常温接合方法及び当該方法における被膜を提供する。【解決手段】ウエハやチップ,基板やパッケージ,その他の各種被接合材のそれぞれの接合面に,到達圧力を10-4Pa以下の高真空度とした真空雰囲気において,例えばスパッタリングやイオンプレーティング等の真空成膜方法により,かつ,好ましくはプラズマの発生下で金属や各種化合物の微結晶構造を有する被膜を接合面に形成し,前記被膜の成膜中,あるいは成膜後に真空を維持したまま,前記被接合材の前記接合面に形成された被膜相互もしくは,他方の接合面に被膜を形成しない場合には,洗浄活性化処理し被膜を形成した一方の接合面と,この活性化処理した活性化接合面を常温で重合する。これにより,前記接合面間に生じた結合により前記被接合材間を接合することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数の被接合材を重合接合する方法であって, 到達真空度が10-4Pa以下の高真空度雰囲気において, a)前記被接合材の少なくとも一方の接合面に,真空成膜により微結晶構造の被膜を形成し, b)前記一方の接合面に形成された微結晶構造の被膜に重合される他方の被膜を有しない接合面は,これを洗浄活性化処理し, c-1)前記被接合材の前記両接合面に形成された微結晶構造の両被膜 又は, c-2)前記一方の微結晶構造の被膜と前記他方の活性化接合面を常温で重合し, d)前記被膜間又は前記被膜と前記活性化接合面に生じた結合により前記被接合材間を接合することを特徴とする常温接合方法。
IPC (4)：
B23K 20/00 ,  B23K 20/24 ,  C03C 27/06 ,  H01L 21/02
FI (4)：
B23K20/00 310A ,  B23K20/24 ,  C03C27/06 ,  H01L21/02 B
F-Term (14)：
4E067AA01 ,  4E067AA17 ,  4E067AA18 ,  4E067AD07 ,  4E067BA03 ,  4E067DA05 ,  4G061AA13 ,  4G061CA02 ,  4G061CB14 ,  4G061DA14 ,  4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 特許2791429号公報
  • 接合方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239181   Applicant：株式会社日立製作所
  • 常温接合方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-160606   Applicant：三菱重工業株式会社
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Cited by examiner (1)

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