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J-GLOBAL ID：201103044056334816

金属電極及びこれを用いた半導体素子

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Inventor： 大毛利 健治 ,  知京 豊裕
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (6)： 牛木 護 ,  吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明 ,  小合 宗一 ,  高橋 知之
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008072164
Publication number (International publication number)：WO2009072611
Application date： Dec. 05, 2008
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

金属電極は、高誘電率薄膜を挟んで半導体と一対として用いられる。金属電極13は、第1の電極材料で形成した金属膜11と、第2の電極材料を含有する特性制御膜10とを備え、前記特性制御膜10は前記高誘電率薄膜9と前記金属膜11との間に形成される。特性制御膜10にはCが添加されている。これにより、特性制御膜10を構成する材料の結晶粒径を小さくし、Vth(閾値電圧)のばらつきを抑制する。

Claim (excerpt)：

高誘電率薄膜上に形成される金属電極において、 第1の電極材料を含有する金属膜と、 第2の電極材料を含有し前記高誘電率薄膜と前記金属膜との間に形成された特性制御膜とを備え、 前記金属膜又は前記特性制御膜を構成する材料の結晶粒径を小さくする元素を含有することを特徴とする金属電極。

IPC (7)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092

FI (5)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 321D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-012040   Applicant：花王株式会社