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J-GLOBAL ID：201103044725336463

単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法及び製造装置並びに積層構造

Inventor： 矢野 満明 ,  井上 正崇 ,  佐々 誠彦 ,  小池 一歩
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 平山 一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001361242
Publication number (International publication number)：2003165793
Patent number：4048316
Application date： Nov. 27, 2001
Publication date： Jun. 10, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶シリコン基板上にフッ化カルシウム単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、このフッ化カルシウム単結晶薄膜上に酸化亜鉛単結晶膜をエピタキシャル成長することで、 上記フッ化カルシウム単結晶薄膜表面に垂直方向にc軸配向し、かつ、X線回折による極点図形が6回対称となり、面内で結晶ドメインが回転していない上記酸化亜鉛単結晶膜を得ることを特徴とする、単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 41/24 ( 200 6.01)

FI (2)：

C30B 29/16 ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-088231   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平3-276106
  
• 金属酸化物構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-292504   Applicant：旭化成株式会社, 斎藤秀俊
• 強誘電体記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190409   Applicant：シャープ株式会社