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J-GLOBAL ID：201103045365756144
熱電子発電素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009281369
Publication number (International publication number)：2011124412
Application date： Dec. 11, 2009
Publication date： Jun. 23, 2011
Summary：
【課題】コレクターの温度を下げずにコレクターのバックエミッションを抑制することにより、発電効率を向上させることができる熱電子発電素子を提供する。【解決手段】エミッター1とコレクター2とを対向配置させた熱電子発電素子において、半導体材料を用いてエミッター1およびコレクター2をそれぞれ構成する。そして、エミッター1のドーパント濃度をコレクター2のドーパント濃度よりも濃くする。これにより、コレクター2からエミッター1へ到達する熱電子の数を少なくすることができる。このため、エミッター1とコレクター2を同じ温度で加熱しても、発電効率を向上させることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
互いに対向配置された一対の電極間を移動する熱電子を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電子発電素子であって、
半導体不純物が添加された半導体材料により構成され、熱源からの熱が加わることによって熱電子を放出するエミッター(1)と、
前記エミッター(1)に対して一定間隔離間して対向配置されていると共に半導体不純物が添加された半導体材料により構成され、前記エミッター(1)から放出された前記熱電子を移動させるコレクター(2)と、を備え、
前記コレクター(2)を構成する半導体材料に添加された半導体不純物のドーパント濃度が、前記エミッター(1)を構成する半導体材料に添加された半導体不純物のドーパント濃度よりも薄いことを特徴とする熱電子発電素子。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
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Article cited by the Patent：
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