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J-GLOBAL ID：201103047709914111

微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 谷脇 雅文 ,  新田 紀子
Applicant, Patent owner： 学校法人高知工科大学
Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002239427
Publication number (International publication number)：2004079847
Patent number：4037213
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1の荷電粒子を単結晶基板の表面に選択的に照射して欠陥を形成する工程と、 前記単結晶基板に第2の荷電粒子を注入して点欠陥を生成し、前記欠陥と前記点欠陥を一体化させ、選択的に凹部を成長させる工程 とを含む微細パターンの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/302 201 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-127839
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318127   Applicant：日本電気株式会社
• 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-329838   Applicant：学校法人高知工科大学

Cited by examiner (3)

• 特開平3-127839
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318127   Applicant：日本電気株式会社
• 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-329838   Applicant：学校法人高知工科大学