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J-GLOBAL ID：200903088676056963

微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor：
谷脇 雅文

About 谷脇 雅文

, 
新田 紀子

About 新田 紀子


Applicant, Patent owner：
学校法人高知工科大学

About 学校法人高知工科大学


Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999329838
Publication number (International publication number)：2001148354
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 簡単且つ安価に半導体表面に微細パターンを形成する。【解決手段】 単結晶基板1を-50°C以下-273°C以上の低温に冷却する工程と、単結晶基板の表面に荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなる。高価な電子ビーム露光装置やX線露光装置等を用いなくても、ナノメータレベルの微細構造を簡単に形成することが可能である。例えば、深さ250nm、直径約50nm、凹部2と凹部2とを隔てる壁の厚さが5nm程度の凹部2からなる微細構造を単結晶基板1の表面に簡単に作成出来る。
Claim (excerpt)：
単結晶基板を-50°C以下-273°C以上の低温に冷却する工程と、前記単結晶基板の表面に荷電粒子を1×1014cm-2以上5×1016cm-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、前記単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (8)：
H01L 21/265 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 371
F-Term (36)：
5F001AA01 ,  5F001AA92 ,  5F001AB02 ,  5F001AD15 ,  5F001AD16 ,  5F001AD51 ,  5F001AG12 ,  5F001AG26 ,  5F040DB01 ,  5F040DC03 ,  5F040EA08 ,  5F040EE01 ,  5F040FC05 ,  5F040FC11 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F101BA01 ,  5F101BA64 ,  5F101BB02 ,  5F101BD05 ,  5F101BD06 ,  5F101BD32 ,  5F101BH09 ,  5F101BH11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-196416
  • トレンチ形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188398   Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318127   Applicant：日本電気株式会社
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