Pat
J-GLOBAL ID:201103047754954779
溶液法による単結晶の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 堂垣 泰雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009256222
Publication number (International publication number):2011098871
Application date: Nov. 09, 2009
Publication date: May. 19, 2011
Summary:
【課題】溶液法によって軸の側面付近の多結晶の生成を防止乃至は抑制して単結晶を成長させる得る溶液法による単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】溶液法による単結晶の製造方法において、種結晶1を冷却する冷却部2と軸周囲部3を加熱する加熱部4とを備え、表面層と遮断層と中心冷却層とから構成される軸5を備えたるつぼを用い、種結晶1と溶液10とが接触後は種結晶1を冷却しつつ軸の周囲を加熱して単結晶を成長させることにより、種結晶1直上の周囲部3の温度を溶液界面の温度以上に高くして、軸5の側面の種結晶近傍での多結晶化を防ぐとともに、冷却効果による高速成長が可能となる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
溶液法による単結晶の製造方法において、種結晶を冷却する冷却部と軸周囲部を加熱する加熱部とを備えた軸を用い、種結晶と溶液とが接触後は種結晶を冷却しつつ軸の周囲を加熱して単結晶を成長させることを特徴とする溶液法による単結晶の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (10):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EG05
, 4G077HA05
, 4G077QA04
, 4G077QA52
, 4G077QA56
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-087076
Applicant:住友金属工業株式会社
-
炭化ケイ素単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-320714
Applicant:株式会社東芝
-
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-319136
Applicant:住友金属工業株式会社
Return to Previous Page