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J-GLOBAL ID：200903097723775964

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
楠 一彦

About 楠 一彦

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矢代 将斉

About 矢代 将斉

, 
亀井 一人

About 亀井 一人


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004319136
Publication number (International publication number)：2006131433
Application date： Nov. 02, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：
【課題】 溶液成長法によるSiC単結晶の成長方法において、多結晶SiCの生成抑制と種結晶上への高品質のSiC単結晶の成長促進とを両立させる。 【解決手段】 SiとCと場合によりさらにTiまたはMnを含み、SiCが溶解している坩堝2内の融液1に、昇降可能なシード軸3に保持されたSiC単結晶からなる種結晶4を浸漬し、この種結晶上にSiC単結晶層を成長させる際に、坩堝内の融液上の自由空間に断熱性構造物20を配置して、融液自由表面の面内温度差が40°C以下となるようにする。シード軸の少なくとも一部の側面を断熱するか、および/またはシード軸の少なくとも一部を強制冷却して、シード軸からの抜熱を強化すると、結晶成長速度はさらに増大する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
坩堝に収容された、SiとCまたはSiとCと1種類以上の金属Mとを含む、SiCが融解している融液に、昇降可能なシード軸に保持されたSiC単結晶からなる種結晶を浸漬し、この種結晶上にSiC単結晶層を成長させるSiC単結晶の製造方法において、 坩堝内の融液上の自由空間に断熱性構造物を配置した状態でSiC単結晶層を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 17/00
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B17/00
F-Term (13)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD10 ,  4G077EA01 ,  4G077EG11 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077MB14 ,  4G077MB24 ,  4G077MB33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (13)
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