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J-GLOBAL ID：201103050736665868

ガスクラスターイオンビーム照射装置

Inventor： 大野 茂 ,  佐々木 新治 ,  古澤 賢司 ,  松尾 二郎 ,  青木 学聡 ,  瀬木 利夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004343294
Publication number (International publication number)：2006156065
Patent number：4636862
Application date： Nov. 29, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】クラスター発生機構、前記クラスター発生機構で発生させたクラスターのイオン化機構、前記イオン化機構でイオン化させたクラスターイオンの加速機構を備えたガスクラスターイオンビーム照射装置であって、照射するガスクラスターイオンのサイズ(N)と照射エネルギー(Ea)とワーク加工面の法線に対する角度(照射角:θ°)の関係が、0.02eV≦(Ea/N)×cos2θ≦0.5eVとなるように制御することを特徴とするガスクラスターイオンビーム照射装置。

IPC (2)：

H01J 37/30 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01J 37/30 Z ,  C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン形成方法、これを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドの製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-039400   Applicant：TDK株式会社
• ガスクラスターイオンビームによる 超精密研磨加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-262910   Applicant：新技術事業団, 安達新産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Materials processing by gas cluster ion beams"