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J-GLOBAL ID：201103052403373170

GaN単結晶基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor：
藤原 伸介

About 藤原 伸介

, 
上松 康二

About 上松 康二

, 
長田 英樹

About 長田 英樹

, 
中畑 成二

About 中畑 成二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009204977
Publication number (International publication number)：2011051863
Application date： Sep. 04, 2009
Publication date： Mar. 17, 2011
Summary：
【課題】大口径で主面の面方位が(0001)および(000-1)以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるGaN単結晶基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本GaN単結晶基板20pは、主面20pmの面積が10cm2以上であり、主面20pmの面方位が(0001)面または(000-1)面20cに対して65°以上85°以下で傾斜しており、主面20pm内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面20pm内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±50%以内である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
主面の面積が10cm2以上であり、 前記主面の面方位が(0001)面または(000-1)面に対して65°以上85°以下で傾斜しており、 前記主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一である、GaN単結晶基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
F-Term (31)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045GH01 ,  5F045GH02 ,  5F045GH08 ,  5F045GH09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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