III族窒化物結晶の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007258567
Publication number (International publication number)：2008143772
Application date： Oct. 02, 2007
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：

【課題】{0001}以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高いIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、{0001}以外の任意に特定される面方位の主面20mを有するIII族窒化物結晶20の製造方法であって、III族窒化物バルク結晶1から、その特定される面方位の主面10pm,10qmを有する複数のIII族窒化物結晶基板10p,10qを切り出す工程と、それらの基板10p,10qの主面10pm,10qmが互いに平行で、かつ、それらの基板10p,10qの[0001]方向が同一になるように、横方向にそれらの基板10p,10qを互いに隣接させて配置する工程と、それらの基板10p,10qの主面10pm,10qm上に、III族窒化物結晶20を成長させる工程と、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

{0001}以外の任意に特定される面方位の主面を有するIII族窒化物結晶の製造方法であって、 III族窒化物バルク結晶から、前記特定される面方位の主面を有する複数のIII族窒化物結晶基板を切り出す工程と、前記基板の前記主面が互いに平行で、かつ、前記基板の[0001]方向が同一になるように、横方向に前記基板を互いに隣接させて配置する工程と、前記基板の前記主面上に、前記III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 , C30B 23/06

FI (2)：

C30B29/38 C , C30B23/06

F-Term (15)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE13 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA07

Patent cited by the Patent：

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