窒化物半導体ウエハ及びその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006109099
Publication number (International publication number)：2006315947
Application date： Apr. 11, 2006
Publication date： Nov. 24, 2006
Summary：

【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 (a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハとし、(b)一次ウエハをM面に沿って切断して複数の窒化物半導体バー4を得て、(c)複数の窒化物半導体バー4を、隣り合う窒化物半導体バー4のC面同士が対向し、各窒化物半導体バー4のM面が上面となるように配列し、(d)配列された窒化物半導体バー4の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層6を形成し、窒化物半導体ウエハ8を得る。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

(a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハを得る工程と、 (b)前記一次ウエハをM面に沿って分離して複数の窒化物半導体バーを得る工程と、 (c)前記複数の窒化物半導体バーを、隣り合う窒化物半導体バーのC面同士が対向し、各窒化物半導体バーのM面が上面となるように配列する工程と、 (d)配列された前記窒化物半導体バーの上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層を形成する工程と、を具えた窒化物半導体ウエハの製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 25/18

FI (4)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C30B25/18

F-Term (19)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F173AH22 , 5F173AP04 , 5F173AQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-195890 Applicant：三菱電線工業株式会社
III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社
単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-207783 Applicant：住友電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-207783 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平3-075298
窒化物単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-076167 Applicant：三菱化学株式会社

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