Pat
J-GLOBAL ID:200903041303273011
窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006109099
Publication number (International publication number):2006315947
Application date: Apr. 11, 2006
Publication date: Nov. 24, 2006
Summary:
【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 (a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハとし、(b)一次ウエハをM面に沿って切断して複数の窒化物半導体バー4を得て、(c)複数の窒化物半導体バー4を、隣り合う窒化物半導体バー4のC面同士が対向し、各窒化物半導体バー4のM面が上面となるように配列し、(d)配列された窒化物半導体バー4の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層6を形成し、窒化物半導体ウエハ8を得る。 【選択図】図4
Claim (excerpt):
(a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハを得る工程と、
(b)前記一次ウエハをM面に沿って分離して複数の窒化物半導体バーを得る工程と、
(c)前記複数の窒化物半導体バーを、隣り合う窒化物半導体バーのC面同士が対向し、各窒化物半導体バーのM面が上面となるように配列する工程と、
(d)配列された前記窒化物半導体バーの上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層を形成する工程と、
を具えた窒化物半導体ウエハの製造方法。
IPC (4):
C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
, C30B 25/18
FI (4):
C30B29/38 D
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
, C30B25/18
F-Term (19):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077HA02
, 4G077TA04
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK08
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F173AH22
, 5F173AP04
, 5F173AQ10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
Show all
Cited by examiner (6)
-
単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-207783
Applicant:住友電気工業株式会社
-
特開平3-075298
-
特開平3-075298
-
窒化物単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-076167
Applicant:三菱化学株式会社
-
III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-007185
Applicant:松下電器産業株式会社
-
ダイヤモンドの合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-018790
Applicant:住友電気工業株式会社
Show all
Return to Previous Page