Pat

J-GLOBAL ID：201103054108984062

高強度を有するCu-Ga系スパッタリングターゲット材およびその製造方法

Inventor： 澤田 俊之 ,  清水 悠子 ,  池田 裕樹
Applicant, Patent owner： 山陽特殊製鋼株式会社
Agent (1)： 椎名 彊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010009691
Publication number (International publication number)：2011149039
Application date： Jan. 20, 2010
Publication date： Aug. 04, 2011
Summary：

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Cu-Ga系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。【解決手段】 原子%で、Gaを29〜40%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、X線回折においてCuベースのfcc相の(111)面とCu9Ga4相の(330)面からのX線回折ピーク強度比が、0.05≦Cu[I(111)]/Cu9Ga4[I(330)]≦0.80、かつCuGa2相の(102)とCu9Ga4相の(330)面からのX線回折ピーク強度比が、CuGa2[I(102)]/Cu9Ga4[I(330)]≦0.10であり、さらに相対密度が95%以上であることを特徴とした高強度Cu-Ga系ターゲット材、およびその製造方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

原子%で、Gaを29〜40%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu-Ga系スパッタリングターゲット材において、Cuベースfcc固溶体相と、Cu9Ga4金属間化合物相からなる二相もしくは、さらに前記二相に加えCuGa2金属間化合物相の三相からなることを特徴とした高強度Cu-Ga系スパッタリングターゲット材。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  C22C 1/04

FI (3)：

C23C14/34 A ,  C22C9/00 ,  C22C1/04 A

F-Term (12)：

4K017AA01 ,  4K017BA05 ,  4K017BB18 ,  4K017EB00 ,  4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BC12 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA29 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-244011   Applicant：真空冶金株式会社
• 高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-323242   Applicant：三菱マテリアル株式会社

Cited by examiner (3)

• 高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-323242   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-038833   Applicant：株式会社東芝, 東芝マテリアル株式会社
• 特開平1-247571