スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005038833
Publication number (International publication number)：2006225696
Application date： Feb. 16, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】例えば反射防止膜の高屈折率膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、得られる金属酸化膜の屈折率をより一層高める。【解決手段】酸化物系スパッタリングターゲットは、(M1-aFea)100-xOx(MはTi、NbおよびTaから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦a≦0.5、50≦x≦80原子%)の式で実質的に表される組成を有する。金属系スパッタリングターゲットは、M100-zFez(MはTi、NbおよびTaから選ばれる少なくとも1種の元素、10≦z≦50原子%)の式で実質的に表される組成を有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式:(M1-aFea)100-xOx (式中、MはTi、NbおよびTaから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびxは0.1≦a≦0.5、50≦x≦80原子%を満足する数である) で実質的に表される組成を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C22C 14/00 , C22C 27/02 , G02B 1/11

FI (5)：

C23C14/34 A , C22C14/00 Z , C22C27/02 102Z , C22C27/02 103 , G02B1/10 A

F-Term (14)：

2K009AA02 , 2K009CC03 , 2K009CC14 , 2K009DD04 , 4K029AA09 , 4K029BA26 , 4K029BA50 , 4K029BC07 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

ターゲットとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-287703 Applicant：旭硝子セラミックス株式会社
酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-149144 Applicant：京セラ株式会社
スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-115648 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (7)

透明中間層を有する多層干渉性顔料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-537261 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-024420 Applicant：旭硝子株式会社
低反射薄膜基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-095708 Applicant：株式会社倉元製作所

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