Pat
J-GLOBAL ID：201103057169559835

金属酸化物を含むへテロ構造の作製法及び該金属酸化物の製造法

Inventor：
渡部 行男

About 渡部 行男

, 
加来 滋

About 加来 滋

, 
松元 大輔

About 松元 大輔


Applicant, Patent owner：
渡部 行男

About 渡部 行男


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010061198
Publication number (International publication number)：2011198824
Application date： Mar. 17, 2010
Publication date： Oct. 06, 2011
Summary：
【課題】金属酸化物、特に、結晶性金属酸化物を用いるナノスケールのヘテロ構造を、欠陥の形成や結晶構造の損傷を抑制し、該金属酸化物の特性を引き出す物質とその製造法を得ること目的とする。【解決手段】従来行われてきたエッチングによる作製法と異なり、ナノスケール物質の原子的引力を制御した接着によりヘテロ構造を作製する。即ち、ナノスケールの構造または形状賦与した、金属酸化物または別の物質からなる物体を作製して、該金属酸化物と該物体を接触させる。該金属酸化物は、表面を活性酸素により強酸化したものである。一方、該物体は、表面の酸化膜等の反応層や吸着層を除去して、表面が仕事関数が5.0eV以下の共有結合性物質であるものである。これにより、金属酸化物、特に、結晶性金属酸化物のナノスケールのヘテロ構造を、結晶構造の損傷と酸素欠陥の生成、及び相互拡散による特性劣化を抑制しつつ、生産性高く形成できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属酸化物を構成要素として含むヘテロ構造の作製において、 表面に該金属酸化物を構成する酸素原子が露出した該金属酸化物と、表面が仕事関数5.0eV以下の共有結合性物質である物体を接触させて、該金属酸化物と該物体からなるヘテロ構造を作製することを特徴とするヘテロ構造の製造法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/02 ,  B82B 3/00
FI (4)：
H01L21/20 ,  B01J35/02 J ,  B01J23/02 M ,  B82B3/00
F-Term (24)：
4G169AA02 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48 ,  4G169BB06B ,  4G169BC13B ,  4G169BC50B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169EC23 ,  4G169EC27 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB58 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC08 ,  4G169HC32 ,  4G169HD13 ,  5F152LP02 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NQ03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-021503   Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
  • 半導体装置製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-337864   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭63-138739
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM