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J-GLOBAL ID：201103058578271742

表面処理方法及び表面処理装置

Inventor： 豊田 紀章 ,  山田 公 ,  成島 正樹 ,  原島 正幸 ,  森崎 英介
Applicant, Patent owner： 兵庫県 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010120920
Publication number (International publication number)：2011246761
Application date： May. 26, 2010
Publication date： Dec. 08, 2011
Summary：

【課題】基板等の表面の平坦性を向上させる表面処理方法を提供する。【解決手段】窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、を有することを特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、 窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、 を有することを特徴とする表面処理方法。

IPC (1)：

C23C 14/02

FI (1)：

C23C14/02 B

F-Term (4)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029DE02 ,  4K029FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• SiC基板表面の平坦化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-094638   Applicant：三井造船株式会社
• カーボン製モニタウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-088066   Applicant：三井造船株式会社
• イオンビーム加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-124486   Applicant：財団法人電力中央研究所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-012875   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社