SiC基板表面の平坦化方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：渡辺望稔 , 三和晴子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004094638
Publication number (International publication number)：2005285905
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】短い時間でSiC基板表面を高精度に平坦化する。【解決手段】エッチング速度がそれぞれ異なる2種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してSiC基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

ガスクラスターをイオン化し、ガスクラスターイオンビームとしてSiC基板表面に照射してSiC基板表面を平坦化する方法であって、第1のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板の表面に照射して前記SiC基板の表面をエッチングする第1の照射工程と、第1のガスと異なる第2のガスを選択し、この第2のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板のエッチングされた表面に照射して前記SiC基板の表面をさらにエッチングすることで、第1の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する第2の照射工程と、酸素ガスを主成分としたガスのガスクラスターイオンビームを前記SiC基板表面の一方の面に照射し、第2の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する仕上げ照射工程と、を有することを特徴とするSiC基板表面の平坦化方法。

IPC (2)：

H01L21/302 , H01L21/02

FI (2)：

H01L21/302 201B , H01L21/02 B

F-Term (16)：

5F004AA11 , 5F004BA11 , 5F004BB12 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB19 , 5F004EA21 , 5F004EA27 , 5F004EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

SiCモニタウェハ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-045725 Applicant：三井造船株式会社

Cited by examiner (6)

ガスクラスターの形成方法と薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064861 Applicant：科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-010941 Applicant：三菱電機株式会社
SiCモニタウェハ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-045725 Applicant：三井造船株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

電子情報通信学会技術報告, 19961205, Vol.96, No395, p95-101

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