半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008012875
Publication number (International publication number)：2009176886
Application date： Jan. 23, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：

【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。【解決手段】露出した面に凹部104が形成された基板(100)表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム200を照射することにより凹部104の側壁にガスクラスタイオンビーム200を照射する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

露出した面に凹部が形成された基板の表面側から、前記基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビームを照射することにより前記凹部の側壁に前記ガスクラスタイオンビームを照射する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 21/302

FI (3)：

H01L21/88 B , H01L21/90 A , H01L21/302 201B

F-Term (41)：

5F004AA01 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004BA11 , 5F004BA17 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ54 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033WW00 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

レジストパターン形成方法および半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-316025 Applicant：東京応化工業株式会社
シリコン酸化膜を利用した微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290758 Applicant：三星電子株式会社
プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-238250 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Cited by examiner (2)

相互接続バイアを改善するためのGCIB処理および改善された相互接続バイア
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-549583 Applicant：エピオンコーポレイション
薄膜半導体の製造方法およびその製造方法により製造された薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-025215 Applicant：三菱電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ガスクラスターイオンビーム角度照射による固体表面の超平坦化〜フォトニック結晶への応用と超平坦化メカ

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