Pat
J-GLOBAL ID:201103060274318690

圧電体薄膜、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009159555
Publication number (International publication number):2011014820
Application date: Jul. 06, 2009
Publication date: Jan. 20, 2011
Summary:
【課題】成膜回数を減少させて生産性を向上させ、製造コストを抑えた圧電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】カルボン酸が溶媒と安定化剤の役目を果たすので、酢酸鉛および有機金属化合物に対するカルボン酸の比率を減少させて、コロイド溶液71中の酢酸鉛および有機金属化合物の濃度を上げることを可能にできる。濃度の高いコロイド溶液71を塗布する塗布工程(S2)と、コロイド溶液71を乾燥して乾燥膜72を得る乾燥工程(S3)と、乾燥膜72を脱脂して無機膜73を得る仮焼成工程(S4)と、無機膜73を結晶化させる結晶化アニール工程(S5)を含む一連の工程によって得られる圧電体薄膜70の膜厚を厚くできる。したがって、所定の膜厚を得るための成膜回数を減少でき、生産性が向上し、製造コストを抑えた圧電体薄膜70の製造方法を得ることができる。【選択図】図5
Claim (excerpt):
酸化鉛の原料としての酢酸鉛、鉛以外の金属の酸化物の原料としての有機金属化合物、カルボン酸およびポリエチレングリコールからなるコロイド溶液を基板上に塗布する工程と、 前記コロイド溶液を乾燥して、乾燥膜を得る工程と、 前記乾燥膜を脱脂して、無機膜を得る工程と、 前記無機膜を結晶化させる工程とを含む ことを特徴とする圧電体薄膜の製造方法。
IPC (5):
H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  B41J 2/16
FI (7):
H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 L ,  B41J3/04 103H
F-Term (8):
2C057AF93 ,  2C057AG39 ,  2C057AG44 ,  2C057AG52 ,  2C057AG55 ,  2C057AP14 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page