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J-GLOBAL ID：200903017247997410

Pb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及びPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜

Inventor：
牧 一誠

About 牧 一誠

, 
藤田 悟史

About 藤田 悟史

, 
曽山 信幸

About 曽山 信幸


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999318514
Publication number (International publication number)：2001139329
Application date： Nov. 09, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板に金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法において、450°C以下の低温で金属酸化物の結晶化を可能とする。【解決手段】 Pb-Ti系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、Pb-Zr-Ti系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布する工程を有するPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。1回の結晶化工程で形成される金属酸化物薄膜の厚さが結晶化後の膜厚で30nm以下となるように、結晶化工程を1回以上行うPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
基板に金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法において、1回の結晶化工程で形成される金属酸化物薄膜の厚さが結晶化後の膜厚で30nm以下となるように、結晶化工程を1回以上行うことを特徴とするPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。
IPC (5)：
C01G 1/00 ,  C01G 25/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (5)：
C01G 1/00 B ,  C01G 25/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A
F-Term (16)：
4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5G303AA10 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB15 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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