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J-GLOBAL ID：201103061259760804

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010236650
Publication number (International publication number)：2011171702
Application date： Oct. 21, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162と、を有し、第1のトランジスタ160は、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタ162は酸化物半導体層を含んで構成され、第1のトランジスタ160のゲート電極と、第2のトランジスタ162のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第1の配線と、第1のトランジスタ160のソース電極とは、電気的に接続され、第2の配線と、第1のトランジスタ160のドレイン電極とは、電気的に接続され、第3の配線と、第2のトランジスタ162のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第4の配線と、第2のトランジスタ162のゲート電極とは、電気的に接続される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の配線と、 第2の配線と、 第3の配線と、 第4の配線と、 第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、 第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、 前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を含んで構成され、 前記第1のゲート電極と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、 前記第1の配線と、前記第1のソース電極とは、電気的に接続され、 前記第2の配線と、前記第1のドレイン電極とは、電気的に接続され、 前記第3の配線と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、 前記第4の配線と、前記第2のゲート電極とは、電気的に接続された半導体装置。

IPC (12)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  G11C 11/405 ,  H01L 27/00

FI (13)：

H01L27/10 321 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 613B ,  C23C14/08 ,  G11C11/34 352B ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102H ,  H01L27/00 301A

F-Term (191)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029FA04 ,  4K029GA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG03 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083AD70 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP56 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB17 ,  5F101BB20 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD35 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH01 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA04 ,  5M024AA90 ,  5M024BB02 ,  5M024CC02 ,  5M024CC20 ,  5M024CC71 ,  5M024HH20 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07 ,  5M024PP09 ,  5M024PP10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• 半導体メモリ装置およびその読み出し方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-308963   Applicant：ソニー株式会社
• 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-320678   Applicant：富士フイルム株式会社
• 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-175634   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-015692   Applicant：キヤノン株式会社
• 電子素子及び電子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-121932   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221552   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体素子の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-056284   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭51-035243
  
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077291   Applicant：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
• 半導体メモリ集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-289888   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (5)

• 半導体メモリ装置およびその読み出し方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-308963   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-175634   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-015692   Applicant：キヤノン株式会社
• 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-320678   Applicant：富士フイルム株式会社
• 電子素子及び電子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-121932   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社