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J-GLOBAL ID：200903093959577947

薄膜トランジスタ及び表示装置

Inventor：
ゴヤル アミタ

About ゴヤル アミタ

, 
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉

, 
板垣 奈穂

About 板垣 奈穂


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (15)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009015692
Publication number (International publication number)：2009206508
Application date： Jan. 27, 2009
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：
【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上10に、ゲート電極15、ゲート絶縁層12、チャネル層11、ソース電極13及びドレイン電極14が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層11はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層11におけるIn/(In+Ge)で表される組成比が0.5以上0.97以下である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ゲート絶縁層を介して、チャネル層とゲート電極とが対向するように配置される薄膜トランジスタにおいて、 前記チャネル層はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含み、 前記チャネル層におけるIn/(In+Ge)で表される組成比が0.5以上0.97以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/363
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  C23C14/08 K ,  H05B33/14 A ,  H01L21/363
F-Term (65)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029FA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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