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J-GLOBAL ID：201103061941443241

一次元多層有機金属錯体ナノ磁気素子及び一次元多層有機金属錯体

Inventor： 中嶋 敦 ,  三井 正明 ,  宮島 謙 ,  井上 健一郎 ,  土居 真吾 ,  安藤 直人 ,  岡田 英嗣 ,  長岡 修平 ,  マーク ニッケルバイン ,  茅 幸二
Applicant, Patent owner： 学校法人慶應義塾
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003407075
Publication number (International publication number)：2005167119
Patent number：4528941
Application date： Dec. 05, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 n個(但しnは1以上の整数)のV原子と、n+1個の1,3,5-トリメチルベンゼンもしくは1,3,5-トリイソプロピルベンゼンからなる配位子とを一次元状に交互に積み重ねた一次元多層有機金属錯体を磁気素子として用いたことを特徴とする一次元多層有機金属錯体ナノ磁気素子。

IPC (3)：

H01F 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  C07F 9/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01F 1/00 ZNM Z ,  B82B 1/00 ,  C07F 9/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• クラスターイオン種のソフトランディング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-254555   Applicant：学校法人慶應義塾, 日本学術振興会
• 多層サンドイッチ錯体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-205625   Applicant：学校法人慶應義塾, 日本学術振興会
• 不飽和6員環の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-220786   Applicant：科学技術振興事業団
• クラスターイオン種のソフトランディング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-336830   Applicant：学校法人慶應義塾

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• バナジウム・ベンゼン有機金属クラスターのベンゼン置換基の効果に対する研究