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J-GLOBAL ID：201103063141661600

金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法

Inventor： 原 茂太 ,  平井 信充
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1998315048
Publication number (International publication number)：2000144500
Patent number：3967020
Application date： Nov. 05, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Claim (excerpt)：

【請求項1】 金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法であって、 (a)貴金属単結晶基板をイオン性溶液中にセットする工程と、 (b)前記貴金属単結晶基板の電位を酸化電位以上の電位と還元電位以下の電位の間を一定の電位操作速度で所定回数繰り返し掃引する工程と、 (c)前記酸化電位以下で、該酸化電位に近い電位で所定時間処理する工程と、 (d)上記(b)及び(c)工程を複数回繰り返し行う工程とを施し、前記(d)工程における複数回繰り返し数nは、平坦化面積>4×104 √n nm2 である金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法。

IPC (3)：

C25F 3/00 ( 200 6.01) ,  C25D 5/18 ( 200 6.01) ,  C25F 3/16 ( 200 6.01)

FI (3)：

C25F 3/00 Z ,  C25D 5/18 ,  C25F 3/16 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 局所エッチング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-198080   Applicant：工業技術院長
• 電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-125945   Applicant：株式会社日立製作所
• シリコンのエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-173467   Applicant：新技術事業団, 鍛示和利, 作原寿彦
• 特開平2-097700