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J-GLOBAL ID：201103063774682720

Ni-Mn-Ga系形状記憶合金薄膜とその製造方法

Inventor： 内山 博昭 ,  山内 清 ,  高木 敏行 ,  三木 寛之 ,  大塚 誠 ,  松本 實
Applicant, Patent owner： NECトーキン株式会社 ,  ▲高▼木 敏行
Agent (2)： 池田 憲保 ,  山本 格介
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000089128
Publication number (International publication number)：2001279356
Patent number：4231188
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Claim (excerpt)：

【請求項1】 スパッタリング法によって形成された柱状組織を有するNi-Mn-Ga系形状記憶合金薄膜を800°Cから1000°Cの温度で熱処理してなり、前記合金薄膜は、(220)面におけるX線回折による相対強度のピークが熱処理以前よりも鋭く且つ大きく、前記(220)面の結晶配向性を有し、かつ前記熱処理によって結晶粒が成長していることを特徴とするNi-Mn-Ga系形状記憶合金薄膜。

IPC (5)：

C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C22C 19/03 ( 200 6.01) ,  C22F 1/10 ( 200 6.01) ,  C30B 29/52 ( 200 6.01)

FI (5)：

C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 A ,  C22C 19/03 A ,  C22F 1/10 G ,  C30B 29/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• NiMnGa合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067046   Applicant：株式会社トーキン
• Ti-Ni形状記憶合金薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-230368   Applicant：坂本英和, 昭和電線電纜株式会社
• 形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法、並びに光偏向器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-247225   Applicant：オリンパス光学工業株式会社