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J-GLOBAL ID：201103068382816851
近接場光プローブ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
神谷 英昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010115845
Publication number (International publication number)：2011242308
Application date： May. 19, 2010
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：
【課題】大強度近接場光を生成するために、複雑な構造のプローブを用意することなく、また、直線偏光した光が利用できる、低コスト、簡易構造の近接場光プローブを提供することを目的とする。【解決手段】誘電体で構成される円錐体・多角錘体構造物にプラズモン活性物質をコーティングし、底面から直線偏光した光を入射させてプローブ先端に、大強度電界ベクトルを持つ近接場光生成のためのプローブであって、(a)円錐体・多角錘体の頂点が、底面の中心軸からずれていること、(b)入射光を斜め方向から入れること、(c)底面の一部を遮光したこと、(d)プラズモン活性物質が非対称にコーティングされていること、(e)誘電体基盤の上に円錐体・多角錘体構造物のプローブ先端が載るように、前記円錐体・多角錘体構造物の一部が誘電体基盤と一体となって形成されていること、のうち一つ以上を特徴とする。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
誘電体で構成される円錐体・多角錘体構造物にプラズモン活性物質をコーティングし、底面から任意の方向に偏光した光を入射させてプローブ先端に、大強度電界ベクトルを持つ近接場光生成のためのプローブであって、
(a)円錐体・多角錘体の頂点が、底面の中心軸からずれていること、
(b)前記光が底面に垂直方向と有限の角度を持って入射するように構成されたこと、
(c)底面における入射光の一部が阻止されるように構成されたこと、
(d)プラズモン活性物質が非対称にコーティングされていること、
(e)誘電体基盤の上に円錐体・多角錘体構造物のプローブ先端が載るように、前記円錐体・多角錘体構造物の一部が誘電体基盤と一体となって形成されていること、
のいずれかから選択される少なくとも一つであることを特徴とするプローブ。
IPC (1)：
FI (2)：
G01N13/14 101B
, G12B1/00 601C
