誘電体材料上に2つの電極を接続する半導体材料で作られたナノワイヤを成長する方法

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明 , 木本大介
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010535423
Publication number (International publication number)：2011505688
Application date： Nov. 27, 2008
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：

金属材料で作られた電極(3)が、誘電体材料(2)の層上に形成される。少なくとも1つの電極(3)の最下層は、誘電体材料(2)の層と直接接触する触媒材料(4)を構成する。ナノワイヤ(6)は、触媒(4)を用いることにより、電極(3)間に、誘電体材料(2)の層に並行して成長する。次いで、2つの電極(3)を接続するナノワイヤ(6)は、単結晶半導体材料で作られ、誘電体材料(2)の層と接触する。

Claim (excerpt)：

2つの電極(3)を接続する単結晶半導体材料で作られたナノワイヤ(6)の成長方法であって、誘電体材料(2)の層上において、前記電極(3)を形成し、触媒(4)を用いることにより、電極(3)間に、前記誘電体材料(2)の層に並行してナノワイヤ(6)を成長させ、前記電極(3)は、金属材料で作られ、前記触媒(4)は、前記電極(3)の少なくとも1つの最下層に形成され、前記最下層は、形成される前記ナノワイヤ(6)が前記誘電体材料(2)の層と接触するように、前記誘電体材料(2)の層と直接接触し、前記ナノワイヤは、前記触媒の厚さに相当する所定の直径を有する、ことを特徴とする方法。

IPC (5)：

H01L 29/06 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , B82B 3/00 , C23C 16/24

FI (7)：

H01L29/06 601N , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T , H01L29/78 618A , B82B3/00 , C23C16/24

F-Term (33)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA01 , 4K030CA06 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F110AA16 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB08 , 5F110BB11 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体微小構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-328059 Applicant：松下電器産業株式会社
カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-218578 Applicant：エルジー電子株式会社
半導体材料および電界効果トランジスタとそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-311719 Applicant：株式会社日立製作所

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