Pat
J-GLOBAL ID:201103072845552201
太陽電池およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人 武和国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011126706
Publication number (International publication number):2011249813
Application date: May. 20, 2011
Publication date: Dec. 08, 2011
Summary:
【課題】少数電荷キャリアの有効ライフタイムが長い(すなわちτeff≧500μs)太陽電池の経済的生産を可能にする方法を提供する。【解決手段】少数電荷キャリアの有効ライフタイム(τeff)が少なくとも500μsである太陽電池を製造する方法は、 半導体ウェーハを用意することと、 金属酸化物層を表面にALD堆積することによって当該ウェーハの表面を不動態化することとを含み、ALD堆積は、 (i)当該表面を第1の前駆体に暴露することによって、当該表面を第1の前駆体で被覆するステップと、 (ii)当該表面を第2の前駆体に暴露することによって、当該表面を第2の前駆体で被覆するステップと、を順次かつ交互に行うことによって実施され、 ステップ(i)および(ii)の少なくとも一方は、当該表面の被覆が飽和レベルに達する前に停止される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
少数電荷キャリアの有効ライフタイム(τeff)が少なくとも500μsである太陽電池を製造する方法であって、
半導体ウェーハを用意することと、
金属酸化物層を前記表面にALD堆積することによって前記ウェーハの表面を不動態化することであって、前記ALD堆積は、
(i)前記表面を第1の前駆体に暴露することによって前記表面を前記第1の前駆体で被覆するステップと、
(ii)前記表面を第2の前駆体に暴露することによって前記表面を前記第2の前駆体で被覆するステップと、
を順次かつ交互に行うことによって実施されることと、
を含み、
ステップ(i)および(ii)の少なくとも一方は、前記表面の前記被覆が飽和レベルに達する前に停止される方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (3):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151GA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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太陽電池および太陽電池を製造する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-237353
Applicant:シノ-アメリカンシリコンプロダクツインコーポレイテッド, チェン,ミイン-ジャン
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太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-064949
Applicant:財団法人工業技術研究院
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-225982
Applicant:エルピーダメモリ株式会社
Cited by examiner (3)
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太陽電池および太陽電池を製造する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-237353
Applicant:シノ-アメリカンシリコンプロダクツインコーポレイテッド, チェン,ミイン-ジャン
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太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-064949
Applicant:財団法人工業技術研究院
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-225982
Applicant:エルピーダメモリ株式会社
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