基板上に酸化ケイ素層を形成する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：園田吉隆 , 小林義教 , 池田成人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010530178
Publication number (International publication number)：2011504651
Application date： Oct. 20, 2008
Publication date： Feb. 10, 2011
Summary：

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第1ケイ素含有前駆体、第2ケイ素含有前駆体及びNH3プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第1ケイ素含有前駆体は、Si-H結合及びSi-Si結合の少なくとも1つを含む。第2ケイ素含有前駆体は、少なくとも1つのSi-N結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、堆積チャンバに基板を提供するステップと、酸化ケイ素層を形成するために、第1ケイ素含有前駆体、第2ケイ素含有前駆体及びNH3プラズマを反応させるステップであって、前記第1ケイ素含有前駆体は、Si-H結合及びSi-Si結合の少なくとも1つを含み、前記第2ケイ素含有前駆体は、少なくとも1つのSi-N結合を含む、ステップと、前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、を含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , C23C 16/42

FI (3)：

H01L21/316 X , H01L21/316 P , C23C16/42

F-Term (26)：

4K030AA05 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

低誘電率有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-162174 Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
特開昭63-228626
絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-068817 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page