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J-GLOBAL ID：201103078282230812

III族窒化物半導体基板の製造方法

Inventor：
松本 直樹

About 松本 直樹

, 
三上 英則

About 三上 英則

, 
山口 さゆり

About 山口 さゆり


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009227680
Publication number (International publication number)：2011077325
Application date： Sep. 30, 2009
Publication date： Apr. 14, 2011
Summary：
【課題】エピタキシャル層のインジウムの取り込み効率を向上させることが可能であると共に、反りを抑制することが可能なIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体基板の製造方法は、III族窒化物半導体のインゴット5をワイヤ7によりスライスし、III族窒化物半導体基板を得るスライス工程を備え、スライス工程において、インゴット5を{0001}面から<1-100>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{20-21}面となるようにIII族窒化物半導体基板を得る、もしくは、インゴット5を{0001}面から<11-20>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{22-43}面又は{11-21}面となるようにIII族窒化物半導体基板を得る。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体のインゴットをスライスし、III族窒化物半導体基板を得るスライス工程を備えたIII族窒化物半導体基板の製造方法であって、 前記スライス工程において、前記インゴットを{0001}面から<1-100>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{20-21}面となるように前記III族窒化物半導体基板を得る、もしくは、前記インゴットを{0001}面から<11-20>方向に傾斜した軸方向にスライスし、主面が{22-43}面又は{11-21}面となるように前記III族窒化物半導体基板を得る、III族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/00
FI (5)：
H01L21/304 611W ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L21/304 611B ,  H01L21/304 611A
F-Term (22)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077FG01 ,  4G077FG05 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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