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J-GLOBAL ID：200903054821541113

窒化物半導体自立基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板

Inventor：
高見澤 彰一

About 高見澤 彰一

, 
渡辺 政孝

About 渡辺 政孝


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006349756
Publication number (International publication number)：2008156189
Application date： Dec. 26, 2006
Publication date： Jul. 10, 2008
Summary：
【課題】結晶品質に優れ、ワープの小さな大口径の窒化物半導体自立基板を、生産性よく低コストで製造する方法等を提供する。【解決手段】少なくとも、種基板101となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、種基板101上に、種基板101と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板103を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして2分割するスライス工程とを含み、1枚の種基板101から2枚の窒化物半導体自立基板104を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法及びこの製造方法によって製造された窒化物半導体自立基板。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも、 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、 前記種基板上に、該種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、 前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして2分割するスライス工程と を含み、1枚の種基板から2枚の窒化物半導体自立基板を製造することを特徴とする窒化物半導体自立基板の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/304 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (9)：
C30B29/38 D ,  C23C16/01 ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 611S ,  H01L21/304 611W ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 621E ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (41)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FG13 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ01 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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