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J-GLOBAL ID:200903078769658976
単結晶GaN基板の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岸本 達人
, 星野 哲郎
, 山下 昭彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006201150
Publication number (International publication number):2008028259
Application date: Jul. 24, 2006
Publication date: Feb. 07, 2008
Summary:
【課題】研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶GaN基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶GaN基板を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】GaN単結晶を成長させる成長工程と、成長後の該GaN単結晶を該GaN単結晶の成長軸と交わる方向にスライスして、対向するスライス面を有する単結晶GaN基板を作成するスライス工程と、該単結晶GaN基板のスライス面を、酸水溶液又は塩基水溶液を用いて、100°C未満の温度にてエッチングするマイルドエッチング工程と、該マイルドエッチング工程後に該スライス面を研磨処理する研磨工程とを含むことを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
GaN単結晶を成長させる成長工程と、
成長後の該GaN単結晶を該GaN単結晶の成長軸と交わる方向にスライスして、対向するスライス面を有する単結晶GaN基板を作成するスライス工程と、
該単結晶GaN基板のスライス面を、酸水溶液又は塩基水溶液を用いて、100°C未満の温度にてエッチングするマイルドエッチング工程と、
該マイルドエッチング工程後に該スライス面を研磨処理する研磨工程とを含むことを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/304
, C30B 29/38
, C30B 33/10
FI (4):
H01L21/304 611A
, C30B29/38 D
, C30B33/10
, H01L21/304 611W
F-Term (15):
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077EG03
, 4G077EG14
, 4G077FG06
, 4G077FG12
, 4G077FG13
, 4G077FG16
, 4G077FG17
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
Patent cited by the Patent: