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J-GLOBAL ID：201103085777764950

2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法

Inventor： 佐藤 明伸 ,  鈴木 晃子 ,  ブーレル エマニュエル ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  青木 学聡
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (4)： 中尾 直樹 ,  中村 幸雄 ,  草野 卓 ,  稲垣 稔
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003295054
Publication number (International publication number)：2005062664
Patent number：4113478
Application date： Aug. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 光透過性基板の表面に屈折率の低い空孔或いは屈折率の高い柱を2次元的にマトリクス状に周期配列形成した2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法において、 空孔或いは柱を光透過性基板の表面に反応性ガスクラスターイオンビームと非反応性ガスクラスターイオンビームとを交互に照射してエッチング形成することを特徴とする2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/12 ( 200 6.01) ,  G02B 6/13 ( 200 6.01)

FI (3)：

G02B 6/12 Z ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ナノ構造薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173822   Applicant：日本電信電話株式会社
• ドライエツチング方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260376   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• ナノ構造薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173822   Applicant：日本電信電話株式会社
• ドライエツチング方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260376   Applicant：株式会社東芝