Pat
J-GLOBAL ID:201103088912716226

光学素子の製造方法および光学素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長尾 達也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009212764
Publication number (International publication number):2011064724
Application date: Sep. 15, 2009
Publication date: Mar. 31, 2011
Summary:
【課題】入射光の入射断面積を大きくすることが可能となる、有効透磁率を人工的に変化させる光学素子の製造方法および光学素子を提供する。【解決手段】入射光の波長より小さい、非等方性形状の磁気共振器を含む光学素子の製造方法であって、 前記磁気共振器を、ホスト媒質中に分散させる第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記ホスト媒質に外部磁場を印加する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記ホスト媒質を硬化させる第3の工程と、 を有する構成とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
入射光の波長より小さい、非等方性形状の磁気共振器を含む光学素子の製造方法であって、 前記磁気共振器を、ホスト媒質中に分散させる第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記ホスト媒質に外部磁場を印加する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記ホスト媒質を硬化させる第3の工程と、 を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
IPC (2):
G02B 5/30 ,  G02B 5/00
FI (2):
G02B5/30 ,  G02B5/00 Z
F-Term (9):
2H042AA01 ,  2H042AA20 ,  2H149AB00 ,  2H149BA04 ,  2H149BA24 ,  2H149BA27 ,  2H149BB28 ,  2H149FA01Z ,  2H149FA41W
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page