Pat

J-GLOBAL ID：201103089577480316

電界効果トランジスタ、半導体基板及び電界効果トランジスタの製造方法

Inventor： 秦 雅彦 ,  山田 永 ,  福原 昇 ,  高木 信一 ,  竹中 充 ,  横山 正史 ,  安田 哲二 ,  ト部 友二 ,  宮田 典幸 ,  板谷 太郎 ,  石井 裕之
Applicant, Patent owner： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人 東京大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010198538
Publication number (International publication number)：2011077516
Application date： Sep. 06, 2010
Publication date： Apr. 14, 2011
Summary：

【課題】高いチャネル移動度を有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接する第1半導体結晶層と、第1半導体結晶層に格子整合または擬格子整合する第2半導体結晶層とを有し、前記ゲート絶縁層、前記第1半導体結晶層および前記第2半導体結晶層が、ゲート絶縁層、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層の順に配置されており、前記第1半導体結晶層がInx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0<x1≦1、0≦y1≦1)であり、前記第2半導体結晶層がInx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≦x2≦1、0≦y2≦1、y2≠y1)であり、前記第1半導体結晶層の電子親和力Ea1が前記第2半導体結晶層の電子親和力Ea2より小さい電界効果トランジスタを提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接する第1半導体結晶層と、前記第1半導体結晶層に格子整合または擬格子整合する第2半導体結晶層とを有し、 前記ゲート絶縁層、前記第1半導体結晶層および前記第2半導体結晶層が、前記ゲート絶縁層、前記第1半導体結晶層、前記第2半導体結晶層の順に配置されており、 前記第1半導体結晶層がInx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0<x1≦1、0≦y1≦1)であり、 前記第2半導体結晶層がInx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≦x2≦1、0≦y2≦1、y2≠y1)であり、 前記第1半導体結晶層の電子親和力Ea1が前記第2半導体結晶層の電子親和力Ea2より小さい 電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E

F-Term (79)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL14 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F110AA01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA01 ,  5F140AA29 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開平1-119065
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-225129   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-194469
  
• 特開昭62-088370
  
• 特開昭60-223163
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-170486   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平1-119065
  
• 特開平1-194469
  
• 特開昭62-088370
  
• 特開昭60-223163