半導体記憶装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011000036
Publication number (International publication number)：2011091433
Application date： Jan. 04, 2011
Publication date： May. 06, 2011
Summary：

【課題】カルコゲナイド材料はシリコン酸化膜との接着性が低いため、相変化メモリの製造工程中に剥離しやすいという課題があった。また、相変化メモリのリセット時(非晶質化)はカルコゲナイド材料を融点以上に加熱しなければならないため、非常に大きい書き換え電流が必要などいう課題があった。【解決手段】接着層と高抵抗層(熱抵抗層)の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層/層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層/プラグ間に挿入する。絶縁体界面層は、金属ターゲットを用いてスパッタリングすることによって金属膜を形成した後、酸素ラジカルや酸素プラズマ等の酸化性雰囲気中で金属膜を酸化することによって形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラグと、前記プラグ上の相変化材料層と、前記相変化材料層上の電極とを有し、前記相変化材料層の内の前記プラグと前記電極とに挟まれる領域の相状態でデータを記憶する半導体記憶装置であって、前記プラグと前記相変化材料層との間に、トンネル電流が流れる厚さの半導体により構成される界面層を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083GA05 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-081724 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265456 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-353352 Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル, オヴォニクスインコーポレイテッド

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