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J-GLOBAL ID：201103096480430191

鉄シリサイド結晶の製造方法

Inventor： 鵜殿 治彦
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999043955
Publication number (International publication number)：2000247624
Patent number：3891722
Application date： Feb. 22, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Claim (excerpt)：

【請求項1】 In、Ga、Zn、Sn、またはBiを溶媒とし、これに溶質としてFeとSiとを溶解した少なくとも3元の飽和溶液を所定温度範囲で冷却することにより該溶液からα-FeSi2 またはβ-FeSi2 を析出させ、結晶成長させることを特徴とする鉄シリサイド結晶の製造方法。

IPC (5)：

C01B 33/06 ( 200 6.01) ,  C22C 1/00 ( 200 6.01) ,  C22C 38/02 ( 200 6.01) ,  H01L 35/14 ( 200 6.01) ,  H01L 35/34 ( 200 6.01)

FI (5)：

C01B 33/06 ,  C22C 1/00 Q ,  C22C 38/02 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体素子及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-250502   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコン薄板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347767   Applicant：東燃株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-028064   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-098144   Applicant：キヤノン株式会社
• 光半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-005915   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体素子及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-250502   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコン薄板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347767   Applicant：東燃株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-028064   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-098144   Applicant：キヤノン株式会社