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J-GLOBAL ID：201202251967205249   Reference number：12A1440876

Thermal Improvement and Stability of Si₃N₄/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature

電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化と室温スパッタによって準備したSi₃N₄/GeN_x/pとn-Ge構造の熱改善と安定性,

Author (7)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  IWASAKI Takuro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  IZUMI Kohei (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  ISHIZAKI Hiroki (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 9,Issue 1  Page： 090204.1-090204.3  Publication year： Sep. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cyclotron resonance ,  plasma ,  nitriding ,  *silicon nitride ,  germanium ,  stability ,  substrate(plate) ,  spatter

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (21)：

• 1) T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata, Y. Morita, and S. Takagi: J. Appl. Phys. 100 (2006) 014101.
• 2) S. J. Wang, J. W. Chai, J. S.. Pan, and A. C. H. Huan: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 022105
• 3) T. Maeda, M. Nishizawa, Y. Morita, and S. Takagi. Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 072911
• 4) Y. Otani, Y. Itayama, T. Tanaka, Y. Fukuda, H. Toyota, T. Ono, M. Mitsui, and K. Nakagawa: Appl. Phys. Lett 90 (2007) 142114.
• 5) Y. Fukuda, Y. Otani, H. Toyota, and T. Ono: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 022902.

Terms in the title (6)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  窒化 ,  室温 ,  スパッタ ,  Si3N4 ,  安定性