Art

J-GLOBAL ID：201202284696113080   Reference number：12A0854169

Control of insulator-semiconductor interfaces for GaN-based electron devices.

GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御

Author (1)： HASHIZUME TAMOTSU (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 81  Issue： 6  Page： 479-484  Publication year： Jun. 10, 2012 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  band structure ,  surface level ,  *band-offset ,  oxide film ,  capacitance-voltage characteristic ,  deep level ,  heterojunction ,  *MOS structure ,  MIS structure ,  passivation ,  HEMT ,  FET ,  silicon dioxide ,  Aluminum Oxide ,  silicon nitride ,  dielectric thin film ,  *gate dielectric film ,  high dielectric constant film ,  aluminum gallium nitride ,  conversion coating film ,  modification
Semi thesaurus term： aluminium gallium nitride ,  *interface state

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (40)：

• GAFFEY, B. IEEE Trans. Electron Dev. 2001, 48, 458
• COOK, T. E. Jr. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3995
• HASHIZUME, T. J. Vac. Sci. Technol. B. 2003, 21, 1828
• COOK, T. E. Jr. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3949
• LEE, C.-T. IEEE Electron Dev. Lett. 2003, 24, 54

Terms in the title (4)： GaN ,  電子デバイス ,  絶縁膜 ,  界面制御